欢迎来到由Richardson RFPD带来的TriQuint氮化镓技术中心 (Tech Hub)。在这里，您可以找到TriQuint创新的氮化镓和产品的最新消息。请随时使用下面的链接发送您的意见。

2012年12月4日
在X-波段, TriQuint的TGF2023-05 HEMT有46 dBm的Psat、49％的PAE和在28V/500mA时9.4 dB的增益
(Dave Silvius: Richardson RFPD 公司战略营销总监)

2012年11月30日
TriQuint封装式6GHz SPDT 氮化镓开关－TGS2351-SM, 提供40W的功率处理，转换速度 <50Ns, 隔离为-40dB,插入损耗 <1dB。 了解更多
(Dave Silvius: Richardson RFPD 公司战略营销总监)

2012年11月6日
TriQuint的DC-18 GHz TGF2023-10 HEMT提供40 W的Psat，11.5分贝的相关增益，和在6 GHz时53％的PAE。
(Dave Silvius: Richardson RFPD 公司战略营销总监)

2012年10月29日
下载TriQuint最近更新的GaN产品手册，其中着重说明了几个新的GaN分立晶体管。 了解更多。
(Richard Martin: TriQuint Semiconductor 半导体晶体管项目和产品营销经理)

2012年10月23日
了解TriQuint的氮化镓产品/技术发展，查看TriQuint的现场应用工程师, 吴通在ED China的研讨会。
(Dave Silvius: Richardson RFPD 公司战略营销总监)

2012年10月22日
在10 GHz，TriQuint  TGF2023-20提供67.6 W 的Psat，48％的PAE和8.7 dB的增益 - 非常适合X-波段应用！
(Dave Silvius: Richardson RFPD 公司战略营销总监)

2012年10月17日
全新的TriQuint的高功率SPDT氮化镓开关，Richardson RFPD介绍了TriQuint公司的TGS2353，一个单刀双掷（SPDT）的GaN SiC的开关。从直流到18 GHz操作，TGS2353通常可提供高达10W输入功率处理，并保持典型低的1.5 dB插入损耗， 高隔离度为-30 dB。

2012年10月15日
18W的DC-6GHz氮化镓场效应晶体管T1G6001528-Q3, 在3GHz提供了非凡性能：56％的PAE和在P3dB 的12.5 dB增益。
(Dave Silvius: Richardson RFPD 公司战略营销总监)

2012年10月10日
热量管理是氮化镓在任何系统中获得成功的关键。我们已经在TriQuint产品开发中实现，同时我们还提供良好的应用支持，成就您的成功。
(Dean White: TriQuint Semiconductor 半导体业务发展 - 产品解决方案经理)

2012年10月9日
您知道TriQuint的TGS2351-SM 氮化镓开关能提供40W的功率处理能力，并采用4x4表面贴装封装吗?了解更多
(Grant Wilcox: TriQuint半导体MMICs项目和产品营销经理)

2012年10月4日
TriQuint的氮化镓开关系列产品提供世界一流，固态功率处理所需的最小控制电流。相对于高功率应用的引脚式开关， 这降低了所需的电路板空间和直流电源 。了解更多
(Grant Wilcox: TriQuint半导体MMICs项目和产品营销经理)

2012年10月1日
与TriQuint的特定氮化镓晶体管相似的器件, 包括: T1G6000528-Q3 及 T1G6001528-Q3.
(Richard Martin: TriQuint Semiconductor 半导体晶体管项目和产品营销经理)

2012年9月25日
TriQuint的T1G4005528-FS 55W氮化镓 FET提供>50%的功率附加率（PAE)，透过3.5GHz的15dB增益。 了解更多
(Richard Martin: TriQuint Semiconductor 半导体晶体管项目和产品营销经理)

2012年9月17日
欲了解TriQuint的氮化镓产品如何在您的设计中降低偏置功率和占板空间。查看我们新的白皮书。

2012年9月14日
TriQuint的18 GHz SPDT氮化镓开关－TGS2353, 提供10W的功率处理和<35nS开关转换速度，隔离为-30 dB，插入损耗<1.5 dB。 了解更多
(Dave Silvius: Richardson RFPD 公司战略营销总监)

2012年9月12日
TriQuint新的T1G6003028-FS 30W 氮化镓 FET提供 >50%的漏极效率和透过6GHz的14dB增益。 了解更多
(Richard Martin: TriQuint Semiconductor 半导体晶体管项目和产品营销经理)

2012年9月10日
因为TriQuint的氮化镓放大器、FETs、和开关拥有比砷化镓（GaAs)类似产品更小的占位面积，更多的特性和功能可以被包含在商业的设计中 。
(Kevin Browne: Richardson RFPD 公司欧洲战略产品营销经理)

2012年9月6日
欲全面了解TriQuint的创新氮化镓解决方案，请访问我们的氮化镓网页。
(Dean White: TriQuint Semiconductor 半导体业务发展 - 产品解决方案经理)

2012年9月5日
TriQuint的12 GHz SPDT 氮化镓开关－TGS2352, 提供20W功率处理，转换速度<50Ns, 隔离为-35dB, 插入损耗<1dB。 了解更多
(Dave Silvius: Richardson RFPD 公司战略营销总监)

2012年8月30日
与之前TGA2576-FL 氮化镓放大器类似的器件， 包括：TGA2573和TGA2572-FL。
(Grant Wilcox: TriQuint半导体MMICs项目和产品营销经理)

2012年8月28日
TriQuint的TGA2576-FL 氮化镓放大器提供行业内最好的功率（30W）和30%的功率附加率(PAE)性能，横跨2.5至6GHz频带。 了解更多
(Grant Wilcox: TriQuint半导体MMICs项目和产品营销经理)

2012年8月24日
TriQuint封装式6GHz SPDT 氮化镓开关－TGS2351-SM, 提供40W的功率处理，转换速度 <50Ns, 隔离为-40dB,插入损耗 <1dB。 了解更多
(Dave Silvius: Richardson RFPD 公司战略营销总监)

2012年8月22日
TriQuint的氮化镓晶体管系列提供宽带功率、行业最高的可变增益和效率。 了解更多
(Richard Martin: TriQuint Semiconductor 半导体晶体管项目和产品营销经理)